刻蚀设备（IBE-6）

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设备简介

原理：

该设备通过将氩气通入离子源放电室，使其在电离后产生等离子体。然后通过栅极引导离子束形成束状，并在阳极电场的加速下轰击待刻蚀材料的表面。被轰击的材料原子受到动能冲击后，从材料表面溅射出去，从而达到刻蚀的目的。

特点：

（1）方向性好，各向异性，陡直度高；（2）分辨率高，可达到0.01μm；（3）不受刻蚀材料限制（金属、绝缘体、半导体、无机物、有机物或化合物均可）；（4）刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形轮廓。

用途：

该设备可用于刻蚀包括金属、氧化物和氮化物等材料。

技术指标

1、本底真空：5E-4Pa；

2、工作真空：2E-2Pa；

3、工作温度：≤80℃；

4、离子能量：≤450eV；

5、刻蚀非均匀性：≤±5%；

6、样品尺寸：6inch，向下兼容。

工艺示例

图1 材料Ni的刻蚀

图2 材料硅的刻蚀

图3 材料Si刻蚀后SEM照片