镀膜设备（Cooke）

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设备简介

原理：

在高真空环境下，电子枪的灯丝被加热后会发射出热电子。这些热电子在电场的作用下得到加速，从而获得极大的动能。在永磁铁或电磁铁的引导和约束下，热电子偏转并朝着蒸发源的表面运动。一旦热电子撞击到材料表面，就会使其汽化，以此达到蒸发的目的。

特点：

（1）精确的沉积控制：通过控制电子束的功率和位置，可以精确控制材料的沉积速率，从而实现好的薄膜均匀性；

（2）更适合lift-off工艺。

（3）在高真空环境下，该设备可连续生长多层薄膜，可小批量生产，并且薄膜非均匀性可达+5%。

用途：

该设备适用于金属Ag、Al、Au、Cr、Cu、Ni、Sn和Ti等材料的薄膜制备，蒸发速率0.1Å/s~10Å/s可控。单次可实现5片6inch样品，6种不同材料的薄膜沉积。

技术指标

1、工艺本底真空：8E-6Torr；

2、设备真空配置：机械泵+冷泵；

3、EB系统配置：EB 8kV，坩埚25CC×6；

4、基片温度：室温~90℃；

5、样品尺寸：6inch，向下尺寸兼容；

6、薄膜非均匀性：≤±5％。

工艺示例

图1 100nm Au蒸发工艺

共聚焦显微镜粗糙度表征

图2 100nm Au蒸发工艺

SEM晶粒表征

图3 100nm Au蒸发工艺

应力表征