接触式光刻机设备（MA6-1）

设备负责人

联系人：	吕伟明
联系电话：	0512-62872674
邮箱：	wmlv2015@sinano.ac.cn
房间号：	B306

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设备简介

原理：

采用紫外光源，通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光，将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板1:1复制到样品上。

特点：

① 高精度：采用先进的光学系统和控制技术，能够实现高分辨率、高精度的曝光；② 灵活性：具有多种曝光模式和曝光能量可调节的特点，可以适应不同工艺需求，满足不同芯片制造的要求；③ 高效性：具有快速曝光速度和高效的对位系统，能够提高生产效率，降低制造成本；④ 先进能量控制技术，确保每一次曝光的一致性和可靠性。

用途：

可以实现微米级的图形曝光，支持背面对准光刻和键合对准工艺。可用于MEMS、先进封装、化合物半导体、光电器件、光电显示和生物芯片等领域。

技术指标

1、光源：汞灯（紫外光：365-420nm）；

2、样品尺寸：6inch，向下兼容；

3、样品厚度：＜3mm；

4、掩膜版要求：2.5/3/4/5/7inch掩膜版；

5、对准模式：正面对准、背面对准；

6、分辨率：理论0.8μm，实际工艺1.2μm；

7、对准精度：正面±1μm、背面±2μm。

工艺示例

图1 极限线宽分辨率

图2 实际线宽分辨率

图3 套刻偏差300nm