设备名称：电子束光刻机

编号：	JBX5500ZA	管理员：	吕伟明
工艺类别：	光刻	所属单位：	加工平台
房间号：	B104	最小预约时间：	60分钟

用途

利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，与光学曝光对应，其特点是将聚焦电子束代替光照以实现抗蚀剂（光刻胶）的曝光（改性）。在实验室广泛应用的电子束曝光机为矢量扫描高斯型系统，即：电子束斑为高斯线型，工作时采用矢量扫描方式。电子束曝光无需掩膜，可实现低至10nm线宽图形。

主要技术指标

样品大小：15mm*15mm、20mm*20mm、2inch、3inch、4inch。光刻胶种类：PMMA A2、PMMA A4、PMMA A8 曝光时间计算公式：曝光时间=曝光面积*曝光剂量/束流大小（束流大小一般为100PA） A2 剂量400UC/cm²，A4剂量650UC/cm²，A8 剂量850UC/cm²。 Accelerating voltage： 25/50 kV Minimum linewidth： 10 nm （50 kV） Overlay Accuracy： 40 nm Field stitching Accuracy: 40 nm Exposure range：直径75 mm Scan speed：12 MHz to 250 Hz。