设备名称：快速退火炉1

编号：	RTP-500	管理员：	孙国庆
工艺类别：	掺杂	所属单位：	加工平台
房间号：	B103	最小预约时间：	30分钟

用途

快速热处理技术（RTP）可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温，慢速升降温的功能，因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。

主要技术指标

1、最大温度范围150℃-1350℃，限定使用温度范围150℃-900℃，900℃退火使用时间30s左右；600℃——900℃,最长退火时间180s，具体酌情而定。600℃及以下温度允许使用30min。 2、升温速率0.01-180℃/秒，可预设定 3、密封石英盒尺寸：210×140×14mm 4、PC机控制。 5、可编程温度曲线存储500条以上，每条曲线可包括50段以上，温度设定范围100℃-1300℃时间设定范围1-30000秒 6、实时温度曲线，显示及存储功能，存储实验曲线500条以上。 7、手动控制：时间设定范围1-9999秒，温度设定范围100-1300℃ 8、双闭环温度控制，稳态温度稳定性±2℃ 9、光源：1.25KW×13卤钨灯 10、电源：380V　32A　3相 11、外形尺寸：电源箱440×200×520mm。